文献

J-GLOBAL ID：200902111793826751   整理番号：00A1055813

ゲート絶縁代替用の高熱安定けい酸ジルコニウム超薄膜

Ultrathin zirconium silicate film with good thermal stability for alternative gate dielectric application.

著者 (8件)： QI W-J (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  NIEH R (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  DHARMARAJAN E (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LEE B H (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  JEON Y (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  KANG L (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  ONISHI K (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LEE J C (Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 11  ページ： 1704-1706  発行年： 2000年09月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に同時反応性スパッタリングにより高誘電率ZrSi<...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 酸化物等価厚み

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A1055813&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  絶縁 ,  代替 ,  高熱 ,  けい酸ジルコニウム ,  超薄膜