研究者
J-GLOBAL ID：200901062148340327
更新日: 2020年04月30日
大西 克典
オオニシ カツノリ | Onishi Katsunori
所属機関・部署：
旧所属 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
旧所属 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター について
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職名：
准教授
研究キーワード (15件)：
メモリLSI
, ロジックLSI
, 信頼性
, ゲート絶縁膜
, CMOS
, 半導体素子・プロセス技術
, 微細加工技術
, memory LSI
, logic LSI
, reliability
, gate dielectric
, CMOS
, process technology
, semiconductor devices
, device scaling
MISC (16件)：
High performance 45-nm SOI technology with enhanced strain, porous low-k BEOL, and immersion lithography(jointly worked). IEDM Tech. Dig. 2006. 689
High performance 45-nm SOI technology with enhanced strain, porous low-k BEOL, and immersion lithography(jointly worked). IEDM Tech. Dig. 2006. 689
ONISHI K, CHOI R, KANG C S, CHO H-J, KIM Y H, NIEH R E, HAN J, KRISHNAN S A, LEE J C. Bias-temperature instabilities of polysilicon gate HfO2 MOSFET’s(jointly worked). IEEE Trans. Electron Devices. 2003. 50. 6. 1517-1524
K Onishi, RN Choi, CS Kang, HJ Cho, YH Kim, RE Nieh, J Han, SA Krishnan, MS Akbar, JC Lee. Bias-temperature instabilities of polysilicon gate HfO2 MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2003. 50. 6. 1517-1524
K Onishi, CS Kang, R Choi, HJ Cho, YH Kim, S Krishnan, MS Akbar, JC Lee. Performance of polysilicon gate HfO2 MOSFETs on (100) and (111) silicon substrates. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2003. 24. 4. 254-256
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書籍 (2件)：
High-k Gate Dielectrics
Institute of Physics Publishing 2003
High-k Gate Dielectrics
Institute of Physics Publishing 2003
学位 (1件)：
工学博士 (テキサス大学オースチン校)
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