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J-GLOBAL ID：200902111878416366   整理番号：98A0640925

進歩した誘電応用のための五酸化タンタル(Ta₂O₅)薄膜

Tantalum pentoxide(Ta₂O₅) thin films for advanced dielectric applications.

著者 (4件)： CHANELIERE C (Inst. National des Sci. Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  AUTRAN J L (Inst. National des Sci. Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  DEVINE R A B (France-Telecom, Meylan, FRA) ,  BALLAND B (Inst. National des Sci. Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R22  号： 6  ページ： 269-322  発行年： 1998年05月25日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の薄膜の性質,作製法およびマイクロエレクトロニクスと集積...

シソーラス用語： *酸化タンタル ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  五酸化タンタル ,  Ta2O5 ,  薄膜