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J-GLOBAL ID：200902111883918426   整理番号：98A0854016

高性能,低コストICに用いるCu/低誘電率二重層ダマシン相互接続構造

A Cu/Low-κ Dual Damascene Interconnect for High Performance and Low Cost Integrated Circuits.

著者 (9件)： ZHAO B (Applied Materials, CA, USA) ,  FEILER D (Applied Materials, CA, USA) ,  RAMANATHAN V (Applied Materials, CA, USA) ,  LIU Q Z (Applied Materials, CA, USA) ,  BRONGO M (Applied Materials, CA, USA) ,  WU J (Applied Materials, CA, USA) ,  DING P ,  JOHNSON M (Semitool, MT, USA) ,  COOK L (Rodel, DE, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1998  ページ： 28-29  発行年： 1998年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デュアルダマシン相互接続構造にCuと低誘電率材料を導入した。...

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,...
準シソーラス用語： 促進試験 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  IC ,  Cu ,  低誘電率 ,  二重層 ,  ダマシン ,  相互接続