ワード線自己ブースティングプログラミングを用いた3層ポリシリコン積層フラッシュメモリセル

文献

J-GLOBAL ID：200902111887993570 整理番号：98A0861344

A Triple Polysilicon Stacked Flash Memory Cell with Wordline Self-Boosting Programming.

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資料名：
巻： 1997 ページ： 283-286 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低電圧で動作する,ワード線自己ブースティングプログラミングを...

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半導体集積回路

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