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J-GLOBAL ID：200902112026593365   整理番号：96A0443798

InAs-GaAs量子ピラミッドレーザ その場成長,放射寿命及び偏光特性

InAs-GaAs Quantum Pyramid Lasers: In Situ Growth, Radiative Lifetimes and Polarization Properties.
著者 (9件)：
BIMBERG D

BIMBERG D について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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LEDENTSOV N N

LEDENTSOV N N について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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GRUNDMANN M

GRUNDMANN M について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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KIRSTAEDTER N

KIRSTAEDTER N について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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SCHMIDT O G

SCHMIDT O G について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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MAO M H

MAO M H について

(TU Berlin, Berlin, DEU)

TU Berlin, Berlin, DEU について

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USTINOV V M

USTINOV V M について

(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)

A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN について

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EGOROV A YU

EGOROV A YU について

(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)

A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN について

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HEYDENREICH J

HEYDENREICH J について

(Max-Plank-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)

Max-Plank-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 35  号： 2B  ページ： 1311-1319  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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ヒ化インジウム

ヒ化インジウム について

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分類 (1件)：
分類
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半導体レーザ 
(BD04070L)

半導体レーザ について

引用文献 (32件)：
  • GOLDSTEIN, L. Appl.Phys.Lett. 1985, 47, 1099
  • NOTZEL, R. Phys.Rev.Lett. 1991, 67, 3812
  • LEONARD, D. Appl.Phys.Lett. 1993, 63, 3203
  • MOISON, J. M. Appl.Phys.Lett. 1994, 64, 196
  • LEDENTSOV, N. N. Proc.22nd Int.Conf.Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada. 1995, 3, 1855
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InAs

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GaAs

GaAs について

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量子

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ピラミッド

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レーザ

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その場成長

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放射寿命

放射寿命 について

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偏光特性

偏光特性 について


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