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J-GLOBAL ID：200902180508751931   整理番号：94A0146114

GaAs上における規則的なナノメータスケールのInAsドットの自己組織化成長

Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs.

著者 (6件)： MOISON J M (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  HOUZAY F (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  BARTHE F (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  LEPRINCE L (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  ANDRE E (France Telecom, Meylan, FRA) ,  VATEL O (France Telecom, Meylan, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 2  ページ： 196-198  発行年： 1994年01月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs上のInAs成長は二次元成長に続く二次元ぬれ層上の単...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  規則 ,  ナノメータ ,  スケール ,  InAs ,  ドット ,  自己組織化 ,  成長