GaAs上で自己集積したInAs島構造に対する臨界層厚

LEONARD D; POND K; PETROFF P M

文献

J-GLOBAL ID：200902112224184160 整理番号：95A0032339

GaAs上で自己集積したInAs島構造に対する臨界層厚

Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs.

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巻： 50 号： 16 ページ： 11687-11692 発行年： 1994年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子間力顕微鏡(AFM)を用いて,GaAs(100)上に分子...

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半導体薄膜

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