パルスレーザアニーリングを用いた半導体YBaCuO薄膜の抵抗温度係数と結晶化の研究

YILDIZ A; CELIK-BUTLER Z; BUTLER D P; KIM C-U

文献

J-GLOBAL ID：200902112245598437 整理番号：02A0394105

パルスレーザアニーリングを用いた半導体YBaCuO薄膜の抵抗温度係数と結晶化の研究

Investigation of temperature coefficient of resistance and crystallization of semiconducting YBaCuO thin films using pulsed laser annealing.

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資料名：
巻： 20 号： 2 ページ： 548-553 発行年： 2002年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

種々の酸素含有量のYBa<sub>2</sub>Cu<sub...

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レーザ照射・損傷 , 半導体結晶の電気伝導 , 圧電気,焦電気,エレクトレット

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