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J-GLOBAL ID：200902112260977363   整理番号：98A0750648

低エネルギーのすれすれ入射酸素ビームによるSiの深さプロフィリング中の複雑なリップル形成

The complex formation of ripples during depth profiling of Si with low energy, grazing oxygen beams.

著者 (2件)： JIANG Z X (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ALKEMADE P F A (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 3  ページ： 315-317  発行年： 1998年07月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 入射角45°~80°の低エネルギー(0.5~2.0keV)の...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低エネルギー ,  すれすれ入射 ,  酸素ビーム ,  Si ,  深さプロフィリング