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J-GLOBAL ID：200902112322621609   整理番号：99A0683707

0.25μmのためのゲート電極エッチングプロセスの0.18μmプロセスへの拡張の特性評価

Characterization of Gate Electrode Etch Process for 0.25μm extended to 0.18μm.

著者 (5件)： HENRY G (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP) ,  VIJAY C K (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP) ,  PRADEEP Y R (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP) ,  SHENG Z M (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP) ,  JOE K L H (Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 3742  ページ： 96-104  発行年： 1999年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート電極 ,  エッチングプロセス ,  プロセス ,  拡張 ,  特性評価