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J-GLOBAL ID：200902112485202166   整理番号：93A0597540

300と400°Cで分子ビームエピタキシャル成長させたGaAsでのドーナとアクセプタの濃度

Donor and acceptor concentrations in molecular beam epitaxial GaAs grown at 300 and 400°C.

著者 (4件)： LOOK D C (Wright State Univ., Ohio) ,  ROBINSON G D (Wright State Univ., Ohio) ,  SIZELOVE J R (Wright Lab., Ohio) ,  STUTZ C E (Wright Lab., Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 62  号： 23  ページ： 3004-3006  発行年： 1993年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記試料についてHall効果の温度依存性と新しいタイプの電荷...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子ビームエピタキシャル成長 ,  GaAs ,  アクセプタ