金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構造を持つ新しいSi電界エミッタチップの製作

文献

J-GLOBAL ID：200902112637865174 整理番号：97A0262658

Fabrication of a New Si Field Emitter Tip with Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) Structure.

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資料名：
巻： 35 号： 12B ページ： 6637-6640 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

電流制御型の標記電界エミッタを製作した。素子の構造は簡単で,...

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その他の固体デバイス , 電子源,イオン源

引用文献 (11件)：

MAYER, R. Tec.Dig.4th Int.Vacuum Microelectronics Conf., Nagahama, Japan, 1991. 6
KOBORI, Y. U.S.Patent 5 162 704. 1992
TING, A. Tec.Dig.4th Int.Vacuum Microelectronics Conf., Nagahama, Japan, 1991. 200
GRAY, H. F. U.S.Patent 5 359 256. 1994
YOKOO, K. J.Vac.Sci.& Technol. 1995, B13, 491

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