自己集合InGaAs/GaAs量子ドット上のInGaAs成長による1.3μm領域のバンド間発光エネルギーの温度敏感性の低減

MUKAI K; SUGAWARA M

文献

J-GLOBAL ID：200902112699283422 整理番号：99A0674841

自己集合InGaAs/GaAs量子ドット上のInGaAs成長による1.3μm領域のバンド間発光エネルギーの温度敏感性の低減

Suppression of temperature sensitivity of interband emission energy in 1.3-μm-region by an InGaAs overgrowth on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots.

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巻： 74 号： 26 ページ： 3963-3965 発行年： 1999年06月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1.3μm発光自己集合InGaAs/GaAs量子ドットのバン...

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