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J-GLOBAL ID：200902112760466616   整理番号：97A0607597

スマートカットプロセスによる絶縁体上への炭化けい素の形成

Silicon carbide on insulator formation by the Smart-Cut process.

著者 (6件)： DI CIOCCIO L (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LETERTRE F (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LE TIEC Y (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  PAPON A M (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  JAUSSAUD C (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  BRUEL M (CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B46  号： 1/3  ページ： 349-356  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スマートカットプロセスによって,SiCオン絶縁体(SiCOI...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁体 ,  炭化けい素