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J-GLOBAL ID：200902112853836871   整理番号：96A0436423

アトムビームエッチング装置を用いたCH₄によるGaAsエッチング

Atom beam etching of GaAs using CH4.

著者 (3件)： 島根誉 (上智大 理工) ,  船本憲司 (上智大 理工) ,  下村和彦 (上智大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 3  ページ： 1227  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： アトム ,  ビーム ,  エッチング装置 ,  GaAs ,  エッチング