下村和彦

シモムラカズヒコ | Kazuhiko Shimomura

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

ホームページURL (1件)： http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (13件)：半導体レーザ , シリコンフォトニクス , 波長分波器 , 全光スイッチ , 光スイッチ , 光デバイス , 光電子デバイス , 量子ドット , 選択成長 , 有機金属気相成長 , 半導体結晶成長 , 光インターコネクション , 光集積回路

競争的資金等の研究課題 (31件)：

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論文 (238件)：

L. Zhao, G.K.Periyanayagam, R. Yada, J. Zhang, M. Kuroi, K. Shimomura. Lasing characteristics of GaInAsP LD on directly bonded InP/Si substrates with a gas out channel. Physica Status Solidi A. 2024. 2400652-1-2400652-6
Liang Zhao, Koji Agata, Ryosuke Yada, Kazuhiko Shimomura. Numerical Simulation of Waveguide Propagation Loss on Directly Bonded InP/Si Substrate. Journal of Electronic Materials. 2024
G.K. Periyanayagam, K. Shimomura. Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate. Physica Status Solidi A. 2024. 2300677-1-2300677-6
R. Yada, K. Agata, L. Zhao, S. Ito, S. Aoki, K. Simomura. Well layer thickness dependence on threshold current of SCH-MQW laser diode grown on InP/Si substrate. 28th International Semiconductor Laser Conference. 2022. TuP-25
L. Zhao, M. Sato, K. Shibukawa, S. Ito, K. Agata, K. Shimomura. Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform. Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022. 2022. CWP12B-02

MISC (14件)：

西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 大貫雄也, 鎌田直樹, 下村和彦. 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 103. 15-20
島本一成, 多田共史, 荻野雄大, 朝倉啓太, 下村和彦, 和保孝夫. C-10-13 InAsナノワイヤ/CMOS集積回路のLOCへの応用(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2016. 2016. 2. 70-70
下村和彦. 化合物半導体と異種材料との接合技術. O plus E. 2016. 38. 2. 139-147
下村和彦. 招待講演 InAs量子ドットLEDの発光波長制御に関する検討 (情報ディスプレイ). 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2015. 39. 12. 15-20
島本一成, 細野優, 小原一馬, 和保孝夫, 荻野雄大, 下村和彦. C-10-14 InAsナノワイヤ/CMOS異種技術集積化とセンサ応用の可能性(C-10,電子デバイス,一般セッション). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2015. 2015. 2. 61-61

特許 (6件)：

書籍 (4件)：

次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
技術情報協会 2022 ISBN:9784861049019
『量子ドット材料の技術と応用展開ディスプレイ・照明・バイオ応用から太陽電池まで』「第5章第4節量子ドットレーザ」
株式会社情報機構 2017 ISBN:9784865021349
『量子ドットエレクトロニクスの最前線』「第2章第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED」
エヌ・ティー・エス 2011 ISBN:9784860433765
Photonics based on wavelength integration and manipulation (IPAP books, 2)
Institute of Pure and Applied Physics 2005 ISBN:4900526193

講演・口頭発表等 (313件)：

InP/Si基板上SCH - MQW レーザの井戸層厚とボイド密度依存性
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
人工葉実用化に向けたInP太陽電池の光-電力変換特性の検討
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの発振特性
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
Lasing characteristics of GaInAsP LD on directly bonded InP/Si substrates with gas out channel
(Compound Semiconductor Week 2024 (CSW 2024) 2024)
Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diodes grown on hydrophilic bonded InP-Silicon substrat
(21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) 2024)

学位 (1件)：

経歴 (1件)：

所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会 , IEEE

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下村 和彦