下村和彦

シモムラカズヒコ | Kazuhiko Shimomura

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

ホームページURL (1件)： http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (13件)：半導体レーザ , シリコンフォトニクス , 波長分波器 , 全光スイッチ , 光スイッチ , 光デバイス , 光電子デバイス , 量子ドット , 選択成長 , 有機金属気相成長 , 半導体結晶成長 , 光インターコネクション , 光集積回路

競争的資金等の研究課題 (31件)：

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論文 (241件)：

Liang Zhao, Ryosuke Yada, Mizuo Kuroi, Junyu Zhang, Kazuhiko Shimomura. Lasing Characteristics of GaInAsP Separate Confinement Heterostructure-Multiple Quantum Well Laser Diodes Grown on Hydrophilic-Bonded InP-Si Substrates. 2025. 222. 18. 2500430
Liang Zhao, Motonari Sato, Ryosuke Yada, Mizuki Kuroi, Kazuhiko Shimomura. Annealing Sequence Dependence of Directly Bonded InP/Si Substrate for GaInAsP Laser Diodes on a Silicon Platform. Physica Status Solidi A. 2025. 2400865-1-2400865-6
L. Zhao, G.K.Periyanayagam, R. Yada, J. Zhang, M. Kuroi, K. Shimomura. Lasing characteristics of GaInAsP LD on directly bonded InP/Si substrates with a gas out channel. Physica Status Solidi A. 2024. 2400652-1-2400652-6
Liang Zhao, Koji Agata, Ryosuke Yada, Kazuhiko Shimomura. Numerical Simulation of Waveguide Propagation Loss on Directly Bonded InP/Si Substrate. Journal of Electronic Materials. 2024
G.K. Periyanayagam, K. Shimomura. Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate. Physica Status Solidi A. 2024. 2300677-1-2300677-6

MISC (14件)：

特許 (6件)：

書籍 (4件)：

次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
技術情報協会 2022 ISBN:9784861049019
『量子ドット材料の技術と応用展開ディスプレイ・照明・バイオ応用から太陽電池まで』「第5章第4節量子ドットレーザ」
株式会社情報機構 2017 ISBN:9784865021349
『量子ドットエレクトロニクスの最前線』「第2章第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED」
エヌ・ティー・エス 2011 ISBN:9784860433765
Photonics based on wavelength integration and manipulation (IPAP books, 2)
Institute of Pure and Applied Physics 2005 ISBN:4900526193

講演・口頭発表等 (321件)：

InP/Si親水性貼付け界面におけるVoidのアニーリング時間依存性評価
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
InP/Si基板上レーザのボイドと閾値電流密度の関係
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
InPナノワイヤ太陽電池における吸収率の構造依存性シミュレーション
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
Strain dependence on the threshold current between InP substrate and InP/Si substrate LDs
(International Conference on Recent Trends in Materials Science & Devices 2025 (ICRTMD-2025) 2025)
ガスアウトチャネルを有する親水性直接貼付InP/Si基板におけるボイド密度のチャネル寸法依存性
(第72回応用物理学会春季学術講演会 2025)

学位 (1件)：

経歴 (1件)：

所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会 , IEEE

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下村 和彦