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J-GLOBAL ID：200902113003038280   整理番号：98A0852934

不純物誘起層間無秩序化によって形成した発振波長0.98μmの高出力GaInAs-GaInPレーザダイオードのカタストロフィック光損傷(COD)レベルの改善

Improvement of Catastrophic Optical Damage(COD) Level for High-Power 0.98-μm GaInAs-GaInP Laser Diodes Using Impurity Induced Layer Disordering.

著者 (7件)： LEE J K (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  PARK K H (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  JANG D H (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  CHO H S (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  PARK C S (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  PYUN K E (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  JEONG J (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 10  号： 9  ページ： 1226-1228  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不純物誘起層間無秩序化(IILD)によって形成したAlフリー...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： IILD

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (10件)： 不純物 ,  誘起 ,  無秩序化 ,  発振波長 ,  高出力 ,  GaInAs ,  GaInP ,  レーザダイオード ,  光損傷 ,  COD