プラズマ増強化学蒸着した高品質窒化けい素膜

COTLER T J; CHAPPLE-SOKOL J

文献

J-GLOBAL ID：200902113296189341 整理番号：93A0693875

プラズマ増強化学蒸着した高品質窒化けい素膜

High Quality Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited Silicon Nitride Films.

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巻： 140 号： 7 ページ： 2071-2075 発行年： 1993年07月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

PECVD-窒化Si膜の品質が,析出温度上昇により改善された...

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その他の無機化合物の薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

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