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J-GLOBAL ID：200902113337262717   整理番号：01A0700134

ほう素表面相による垂直表面トンネルトランジスタの性能改善

Performance Improvement in Vertical Surface Tunneling Transistors by a Boron Surface Phase.

著者 (6件)： HANSCH W (Technical Univ. Munich, Munich, DEU) ,  BORTHEN P (Technical Univ. Munich, Munich, DEU) ,  SCHULZE J (Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU) ,  FINK C (Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU) ,  SULIMA T (Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU) ,  EISELE I (Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 5A  ページ： 3131-3136  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直シリコンMOSゲートpinダイオードに基づくSiトンネル...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： トンネルトランジスタ

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• 1) For an overview see for example, S. Luryi and A. Zaslacsky: Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze (Wiley, New York, 1998).
• 2) V. R. Rao, W. Hansch and I. Eisele: IEDM `97, Tech. Dig., p. 811.
• 3) W. Hansch, V. R. Rao, C. Fink, F. Kaesen and I. Eisele: Thin Solid Films 321 (1998) 206.
• 4) W. Hansch, C. Fink, J. Schulze and I. Eisele: Thin Solid Films 369 (2000) 389.
• 5) J. J. Quinn, G. Kawamoto and B. D. McCombe: Surf. Sci. 73 (1978) 190.

タイトルに関連する用語 (3件)： ほう素 ,  トンネルトランジスタ ,  性能改善