分子ビームエピタクシーによりヘテロエピタキシャル成長させたすずドープ酸化インジウム薄膜の電気特性と表面形態

TAGA N; SHIGESATO Y; KAMEI M

文献

J-GLOBAL ID：200902113525323669 整理番号：00A0729110

分子ビームエピタクシーによりヘテロエピタキシャル成長させたすずドープ酸化インジウム薄膜の電気特性と表面形態

Electrical properties and surface morphology of heteroepitaxial-grown tin-doped indium oxide thin films deposited by molecular-beam epitaxy.

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巻： 18 号： 4,Pt.2 ページ： 1663-1667 発行年： 2000年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

アンドープ酸化インジウム(IO)及びSnドープ酸化インジウム...

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酸化物薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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