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J-GLOBAL ID：200902113705186872   整理番号：02A0882094

低雑音特性を示す融合InGaAs-Siアバランシェフォトダイオード

Fused InGaAs-Si Avalanche Photodiodes With Low-Noise Performances.

著者 (9件)： KANG Y (Univ. California, CA, USA) ,  MAGES P (Univ. California, CA, USA) ,  CLAWSON A R (Univ. California, CA, USA) ,  YU P K L (Univ. California, CA, USA) ,  BITTER M (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  PAN Z (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  PAUCHARD A (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  HUMMEL S (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  LO Y H (Nova Crystals, Inc., CA, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 14  号： 11  ページ： 1593-1595  発行年： 2002年11月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光増幅器に代わって,アバランシェフォトダイオード(APD)が...

シソーラス用語： 光検出器 ,...

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分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 雑音特性 ,  融合 ,  InGaAs ,  Si ,  アバランシェフォトダイオード