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J-GLOBAL ID：200902113711408240   整理番号：00A0283071

エキシマレーザアニーリングによって作製したポリ-Siの結晶成長メカニズムの研究

Study of Crystal Growth Mechanism for Poly-Si Film Prepared by Excimer Laser Annealing.

著者 (6件)： MATSUO N (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  AYA Y (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  KANAMORI T (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  NOUDA T (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  HAMADA H (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  MIYOSHI T (Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 2A  ページ： 351-356  発行年： 2000年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 核形成,集合組織結晶粒の成長および二次的結晶粒成長の三段階が...

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) K. Hirano, N. Sotani, I. Hasegawa, T. Nouda, H. Abe and H. Hamada: Abstr. IS&T/SPIE Symp. Electronic Image: Science&Technology, 1997, p. 80.
• 2) Y. Aya, T. Nouda, Y. Nakahara, H. Abe and H. Hamada: Dig. Tech. Pap. AM-LCD, 1997, p. 167.
• 3) N. Matsuo, Y. Aya, A. Kinugasa, T. Nouda, H. Hamada and T. Miyoshi: Dig. Tech. Pap. AM-LCD, 1997, p. 175.
• 4) N. Matsuo, Y. Aya, T. Kanamori, T. Nouda, H. Hamada, A. Kinugasa and T. Miyoshi: J. Vac. Soc. Jpn. 41 (1998) 798.
• 5) H. Hamada, K. Hirano, N. Goda, H. Abe, I. Hasegawa, Y. Okita, S. Arioka and T. Niina: Electron. Lett. 30 (1994) 1719.

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  Si ,  結晶成長 ,  メカニズム ,  研究