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J-GLOBAL ID：200902113756492030   整理番号：02A0687199

ZnO:AlターゲットとCo,Mn及びCrで汚染されたZnターゲットの同時スパッタリングにより堆積したZnO:Al膜の膜特性

Film properties of ZnO:Al films deposited by co-sputtering of ZnO:Al and contaminated Zn targets with Co, Mn and Cr.

著者 (5件)： TOMINAGA K (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TAKAO T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  FUKUSHIMA A (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORIGA T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAKABAYASHI I (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 66  号： 3/4  ページ： 511-515  発行年： 2002年08月19日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO:Al及びZnターゲットの同時スパッタリングで作製した...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (12件)： ZnO ,  Al ,  ターゲット ,  CO ,  Mn ,  Cr ,  汚染 ,  Zn ,  同時スパッタリング ,  堆積 ,  Al膜 ,  膜特性