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J-GLOBAL ID：200902113822325085   整理番号：03A0017143

バルクAlN上AlGaN/AlN多重量子井戸の深紫外発光

Deep-ultraviolet emission of AlGaN/AlN quantum wells on bulk AlN.

著者 (9件)： GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., South Carolina) ,  CHEN C (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KHAN A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TAMULAITIS G (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  YILMAZ I (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  ROJO J C (Crystal IS, Inc., New York) ,  SCHOWALTER L J (Crystal IS, Inc., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 24  ページ： 4658-4660  発行年： 2002年12月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al含有量が高い高品位のAlGaNエピ膜を作製するために,バ...

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  AlN ,  AlGaN ,  多重量子井戸 ,  深紫外