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J-GLOBAL ID：200902113853302083   整理番号：00A0653326

無疲労基準キャパシタを用いる可変基準ビット線電圧方式を有する0.5μm,3V,1T1C,1Mbit FRAM

A 0.5-μm, 3-V, 1T1C, 1-Mbit FRAM with a Variable Reference Bit-Line Voltage Scheme using a Fatigue-Free Reference Capacitor.

著者 (9件)： OGIWARA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TANAKA S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ITOH Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIYAKAWA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKEUCHI Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  DOUMAE S M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKENAKA H (Toshiba Microelectronics Corp., Yokohama, JPN) ,  OHTSUKI S (Toshiba Microelectronics Corp., Yokohama, JPN) ,  TANAKA S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 35  号： 4  ページ： 545-551  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.5μm,3Vで動作し,トランジスタ1個キャパシタ一個(1...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 熱疲れ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 疲労 ,  キャパシタ ,  ビット線電圧 ,  FRAM