サファイア基板に成長させた窒化アルミニウムの良質のエピタキシャル層

SAXLER A; KUNG P; SUN C J; BIGAN E; RAZEGHI M

文献

J-GLOBAL ID：200902113903847388 整理番号：94A0167495

サファイア基板に成長させた窒化アルミニウムの良質のエピタキシャル層

High quality aluminum nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates.

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資料名：
巻： 64 号： 3 ページ： 339-341 発行年： 1994年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOCVDにより(001)サファイア上に成長させた膜は(01...

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半導体薄膜

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