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J-GLOBAL ID：200902114072567134   整理番号：00A0592332

Application of HRTEM to studies of electronic structure and atomic configuration of interface in SiC/SiC composites.

著者 (4件)： SHIBAYAMA T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HE G W (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKAHASHI H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KOHYAMA A (Kyoto Univ., Uji, JPN)
資料名： Journal de Physique. 4. Proceedings  (Journal de Physique. 4. Proceedings)
巻： 10  号： Pr6  ページ： PR6.97-PR6.103  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： A0743C  ISSN： 1155-4339  資料種別： 会議録 (C)
発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： HRTEM ,  SiC