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J-GLOBAL ID：200902114135181533   整理番号：93A0612014

前もってゲッタ処理を施した多結晶シリコン太陽電池の拡散距離のプロセス終点での水素イオン注入による促進

Enhancement of diffusion length of pregettered multicrystalline silicon solar cells by hydrogen ion implantation at the end of the process.

著者 (8件)： SIVOTHTHAMAN S (LPSB, CNRS, Meudon, FRA) ,  RODOT M (LPSB, CNRS, Meudon, FRA) ,  MULLER J C (PHASE, CNRS, Strasbourg, FRA) ,  HARTITI B (PHASE, CNRS, Strasbourg, FRA) ,  GHANNAM M (IMEC, Leuven, BEL) ,  ELGAMEL H E (IMEC, Leuven, BEL) ,  NIJS J (IMEC, Leuven, BEL) ,  SARTI D (PHOTOWATT, Caen, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 62  号： 24  ページ： 3172-3173  発行年： 1993年06月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200μm以下の薄いウエハを用いて2×2cm<sup>2<...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： NPP接合

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分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲッタ ,  多結晶シリコン太陽電池 ,  拡散距離 ,  プロセス ,  終点 ,  水素イオン ,  注入 ,  促進