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J-GLOBAL ID：200902114160311360   整理番号：00A0765451

Operation of a 2500V 150A Si-IGBT/SiC Diode Module.

著者 (7件)： LENDENMANN H (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  JOHANSSON N (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  MOU D (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  FRISCHHOLZ M (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  ASTRAND B (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  ISBERG P (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  OVREN C (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 338/342  号： Pt.2  ページ： 1423-1426  発行年： 2000年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  IGBT ,  SiC