InGaN多重量子井戸青紫色レーザダイオードの障壁におけるSiドーピングの効果

CHICHIBU S; COHEN D A; MACK M P; ABARE A C; KOZODOY P; MINSKY M; FLEISCHER S; KELLER S; DENBAARS S P

文献

J-GLOBAL ID：200902114212387565 整理番号：98A0745881

InGaN多重量子井戸青紫色レーザダイオードの障壁におけるSiドーピングの効果

Effects of Si-doping in the barriers of InGaN multiquantum well purplish-blue laser diodes.

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資料名：
巻： 73 号： 4 ページ： 496-498 発行年： 1998年07月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiドープまたはドープしていないInGaN障壁を持つ標記ダイ...

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半導体レーザ

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