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J-GLOBAL ID：200902114325488317   整理番号：02A0501629

Schottky MOSFETを使った物理乱数発生器

Physical Random-Number Generator Using Schottky MOSFET.

著者 (4件)： ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  MAEDA Y (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  NAKAGAWA G (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ARIMA Y (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 4B  ページ： 2306-2311  発行年： 2002年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソースとドレインがSchottky接触でできた金属-酸化物-...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B)

引用文献 (5件)：

• 1) E. J. Hoffman: U. S. Patent “5506218” (1998).
• 2) D. P. Brown, C. M. Danielsen and E. A. Dabbish: U. S. Patent “4853884” (1989).
• 3) M. Nishisaka and T. Asano: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1295.
• 4) M. Nishisaka, Y. Ochiai and T. Asano: 56th Ann. Device Research Conf. Dig., 1998, p. 74.
• 5) S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons, New York, Chichester, Brisbane, Toront, Singapore, 1981) 2nd ed., p. 111.

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  物理 ,  乱数発生器