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J-GLOBAL ID：200902144280628674   整理番号：98A0527389

Schottkyソース/ドレイン接触を使ったSOI MOSFETの漂遊体効果の低減

Reduction of the Floating Body Effect in SOI MOSFETs by Using Schottky Source/Drain Contacts.

著者 (2件)： NISHISAKA M (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3B  ページ： 1295-1299  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレイン位置にSchottky接触を使った,新しいシ...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• 1) SOI Kozo Keisei Gijutsu, ed. S. Furukawa (Sangyo Tosho, Tokyo, 1987) [in Japanese].
• 2) J. P. Collinge: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Publishers, 1991).
• 3) K. Arita, M. Akamatsu and T. Asano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1505
• 4) K. Arita, M. Akamatsu and T. Asano: Ext. Abstr. 1997 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Hamamatsu, 1997 (Business Center for Academic Society of Japan, Tokyo, 1997) p. 146.
• 5) T. Saraya, M. Takamiya, T. N. Duyet and T. Hiramoto: Ext. Abstr. 1997 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Hamamatsu, 1997 (Business Center for Academic Society of Japan, Tokyo, 1997) p. 554.

タイトルに関連する用語 (4件)： ソース ,  ドレイン ,  SOI ,  MOSFET