文献

J-GLOBAL ID：200902114452463153   整理番号：94A0651380

マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰によるけい素-二酸化けい素界面の表面再結合速度の測定

Surface recombination velocity measurements at the silicon-silicon dioxide interface by microwave-detected photoconductance decay.

著者 (3件)： STEPHENS A W (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  ABERLE A G (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  GREEN M A (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 76  号： 1  ページ： 363-370  発行年： 1994年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化p型SiウエハのSi-SiO₂界...

シソーラス用語： 光伝導 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0651380&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： マイクロ波 ,  フォト ,  コンダクタンス ,  減衰 ,  けい素 ,  二酸化けい素 ,  界面 ,  表面再結合速度