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J-GLOBAL ID：200902114485253200   整理番号：99A0113794

SiCのICPエッチング

ICP etching of SiC.

著者 (8件)： WANG J J (Univ. Florida, FL, USA) ,  LAMBERS E S (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  OSTLING M (Royal Inst. Technol., Kista, SWE) ,  ZETTERLING C-M (Royal Inst. Technol., Kista, SWE) ,  GROW J M (New Jersey Inst. Technol., NJ, USA) ,  REN F (Univ. Florida, FL, USA) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 42  号： 12  ページ： 2283-2288  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導結合プラズマ(ICP)装置内での6H-SiCと3C-Si...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  ICP ,  エッチング