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J-GLOBAL ID:200902114485253200   整理番号:99A0113794

SiCのICPエッチング

ICP etching of SiC.
著者 (8件):
資料名:
巻: 42  号: 12  ページ: 2283-2288  発行年: 1998年12月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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誘導結合プラズマ(ICP)装置内での6H-SiCと3C-Si...
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  その他の表面処理 
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