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J-GLOBAL ID：200902114936840725   整理番号：02A0177145

歪みバルク半導体光増幅器における埋込構造が偏波感受性に及ぼす影響

Influence of Buried Structure on Polarization Sensitivity in Strained Bulk Semiconductor Optical Amplifiers.

著者 (6件)： KAKITSUKA T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIBATA Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ITOH M (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KADOTA Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOHMORI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIKUNI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 38  号： 1  ページ： 85-92  発行年： 2002年01月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 引張り歪みバルクInGaAsPを用いた偏波不感半導体光増幅器...

シソーラス用語： 引張応力 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪み ,  バルク ,  半導体光増幅器 ,  埋込 ,  偏波 ,  感受性