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J-GLOBAL ID：200902114942997270   整理番号：01A0233997

高圧消費法を用いる微結晶シリコンのVHFプラズマによる高速成長

High rate growth of microcrystalline silicon using a high-pressure depletion method with VHF plasma.

著者 (5件)： FUKAWA M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  GUO L (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KONDO M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  MATSUDA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 66  号： 1/4  ページ： 217-223  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.5~4Torrの作業圧力における水素化微結晶Si(μc-...

シソーラス用語： 高圧 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧 ,  消費 ,  微結晶シリコン ,  VHFプラズマ ,  成長