研究者
J-GLOBAL ID：200901019198465209
更新日: 2024年02月14日
松田 彰久
マツダ アキヒサ | Matsuda Akihisa
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所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=A71328294
研究キーワード (5件)：
プラズマ 非晶質の構造 薄膜 自然エネルギー
, Natural Energy
, Thin Films
, Structure of Amorphous Materials
, Plasma
競争的資金等の研究課題 (2件)：
薄膜シリコン系太陽電池
Thin Film Silicon Solar Cells
MISC (39件)：
Takuya Matsui, Akihisa Matsuda, Michio Kondo. High-rate microcrystalline silicon deposition for p-i-n junction solar cells. SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS. 2006. 90. 18-19. 3199-3204
K Ohno, K Murayama, A Matsuda. Hopping transport of electrons and holes at localized band tail states in amorphous hydrogenated silicon and amorphous heavy-hydrogenated silicon. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 7A. 4764-4769
T Matsui, M Kondo, A Matsuda. Doping properties of boron-doped microcrystalline silicon from B2H6 and BF3: material properties and solar cell performance. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. 2004. 338. 646-650
C Niikura, M Kondo, A Matsuda. Preparation of microcrystalline silicon films at ultra high-rate of 10 nm/s using high-density plasma. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. 2004. 338. 42-46
C Niikura, N Itagaki, M Kondo, Y Kawai, A Matsuda. High-rate growth of microcrystalline silicon films using a high-density SiH4/H-2 glow-discharge plasma. THIN SOLID FILMS. 2004. 457. 1. 84-89
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学歴 (3件)：
早稲田大学
早稲田大学大学院
早稲田大学
学位 (1件)：
工学博士
経歴 (2件)：
(株)日本コロムビア
Columbia Co. LTD.
受賞 (4件)：
プラズマ材料科学賞
工業技術院長賞
Plasma Science for Materials Award
AIST Award
所属学会 (2件)：
応用物理学会
, Japan Society of Applied Physics
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