極めて薄いSiO<sub>2</sub>膜における降伏前漏れ電流のキャリア分離測定

UNO S; ISHIDA A; DEGUCHI K; KAMAKURA Y; TANIGUCHI K

文献

J-GLOBAL ID：200902114968725995 整理番号：01A0743392

極めて薄いSiO₂膜における降伏前漏れ電流のキャリア分離測定

Carrier separation measurement of leakage current under prebreakdown in ultrathin SiO₂ films.

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巻： 89 号： 12 ページ： 8336-8338 発行年： 2001年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

n⁺ゲートpチャネルMOSFETのゲー...

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金属-絶縁体-半導体構造

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極めて薄いSiO2膜における降伏前漏れ電流のキャリア分離測定

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