文献

J-GLOBAL ID：200902115098935316   整理番号：98A0918079

AlGaN/GaN量子井戸紫外発光ダイオード

AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes.

著者 (9件)： HAN J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  CRAWFORD M H (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  FIGIEL J J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  BANAS M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  ZHANG L (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SONG Y K (Brown Univ., Rhode Island) ,  ZHOU H (Brown Univ., Rhode Island) ,  NURMIKKO A V (Brown Univ., Rhode Island)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 12  ページ： 1688-1690  発行年： 1998年09月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDによって標記の発光ダイオードを作製してその特性を評...

シソーラス用語： 窒化物 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0918079&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  紫外発光ダイオード