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J-GLOBAL ID:200902115206918865   整理番号:01A0601036

パルスレーザアブレーション成膜法により製作したZrO2/Zrけい酸塩/Si MIS構造中のバンドダイアグラムとキャリア伝導メカニズム

Band Diagram and Carrier Conduction Mechanism in ZrO2/Zr-silicate/Si MIS Structure Fabricated by Pulsed-laser-abltion Deposition.
著者 (4件):
資料名:
巻: 2000  ページ: 2.1.1-2.1.4  発行年: 2000年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (13件):
タイトルに関連する用語
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