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J-GLOBAL ID：200902115416678328   整理番号：97A0560271

ヘキサメチルジシラザンを用いてRPECVDにより作製した窒化けい素膜の性質の研究

The investigation of properties of silicon nitride films obtained by RPECVD from hexamethyldisilazane.

著者 (6件)： FAINER N I (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS) ,  RUMYANTSEV YU M (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS) ,  KOSINOVA M L (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS) ,  YURJEV G S (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS) ,  MAXIMOVSKII E A (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS) ,  KUZNETSOV F A (Inst. Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk, RUS)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 113/114  ページ： 614-617  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化けい素膜をヘキサメチルジシラザン又はアンモニアとのその混...

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ヘキサメチルジシラザン

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘキサメチルジシラザン ,  作製 ,  窒化 ,  けい素膜 ,  性質 ,  研究