文献

J-GLOBAL ID：200902115446761017   整理番号：02A0306893

SiおよびSiO₂と接触する高誘電率金属酸化物ZrO₂とHfO₂の熱力学的安定性

Thermodynamic stability of high-K dielectric metal oxides ZrO₂ and HfO₂ in contact with Si and SiO₂.

著者 (7件)： GUTOWSKI M (Pacific Northwest National Lab., Washington) ,  JAFFE J E (Pacific Northwest National Lab., Washington) ,  LIU C-L (Motorola, Arizona) ,  STOKER M (Motorola, Arizona) ,  HEGDE R I (Motorola, Texas) ,  RAI R S (Motorola, Texas) ,  TOBIN P J (Motorola, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 11  ページ： 1897-1899  発行年： 2002年03月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の高誘電率酸化物接触の熱力学的安定性を理論と実験で調べた...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0306893&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiO2 ,  高誘電率 ,  金属酸化物 ,  ZrO2 ,  HfO2 ,  熱力学的安定性