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J-GLOBAL ID：200902115491952281   整理番号：99A0010247

SiO₂/Si基板上のMOCVD PZT/RuO₂薄膜ヘテロ構造におけるその場低温成長と配向制御

In-situ low temperature growth and orientation control in MOCVD PZT/RuO₂ thin film heterostructures on SiO₂/Si substrates.

著者 (5件)： BAI G-R (Argonne National Lab., IL) ,  WANG A (Argonne National Lab., IL) ,  TSU I-F (Argonne National Lab., IL) ,  FOSTER C M (Argonne National Lab., IL) ,  AUCIELLO O (Argonne National Lab., IL)
資料名： Integrated Ferroelectrics  (Integrated Ferroelectrics)
巻： 21  号： 1/4  ページ： 291-304  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： W0539A  ISSN： 1058-4587  CODEN： IFEREU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  Si基板 ,  MOCVD ,  PZT ,  薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  低温成長 ,  配向制御