Coを共スパッタさせたCu-In合金前駆体の狭い空間内の蒸気硫化によって成長させたCuInS<sub>2</sub>薄膜の特性評価

ADURODIJA F O; SONG J; KIM S K; KIM S D; YOON K H

文献

J-GLOBAL ID：200902116067885287 整理番号：98A0833152

Coを共スパッタさせたCu-In合金前駆体の狭い空間内の蒸気硫化によって成長させたCuInS₂薄膜の特性評価

Characterization of CuInS₂ Thin Films Grown by Close-spaced Vapor Sulfurization of Co-sputtered Cu-In Alloy Precursors.Cu-In alloy films were prepared on bare or Mo-coated glass by co-sputtering from Cu and In targets at ambient temperature.

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資料名：
巻： 37 号： 8 ページ： 4248-4253 発行年： 1998年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

黒鉛容器内で高いS蒸気圧力下でスパッタCu-In薄膜を硫化し...

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半導体薄膜

引用文献 (31件)：

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Coを共スパッタさせたCu-In合金前駆体の狭い空間内の蒸気硫化によって成長させたCuInS2薄膜の特性評価

Coを共スパッタさせたCu-In合金前駆体の狭い空間内の蒸気硫化によって成長させたCuInS₂薄膜の特性評価