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J-GLOBAL ID：200902116235036770   整理番号：98A0604793

高温で使うための6H-SiCのAuゲート金属-半導体電界効果トランジスタの作製過程と特性

Fabrication Procedures and Characteristics of 6H-SiC Au-gate Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor for Use at High Temperatures.

著者 (3件)： TODA T (SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  UEDA Y (SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  IBARAKI A (SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 4A  ページ： 1817-1818  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスアイソレーションのために反応性イオンエッチングを,ソ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• SHIN, M. W. IEEE/Cornell Conf. 1993, 421
• MOORE, K. E. IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 68
• CUSACK, D. E. Proc.2nd Int.High Temp.Electron.Conf. 1994, III.17
• KUPHAL, E. Solid State Electron. 1981, 24, 69
• TODA, T. Ext.Abstr.Japan Society of Applied Physics. 1997, 29a-SS-30

タイトルに関連する用語 (6件)： 6H-SiC ,  Au ,  ゲート ,  金属-半導体電界効果トランジスタ ,  作製 ,  過程