研究者
J-GLOBAL ID:200901028182490300
更新日: 2022年08月09日
上田 康博
ウエダ ヤスヒロ | Ueda Yasuhiro
所属機関・部署:
旧所属 大阪府立大学 大学院工学研究科 電気・情報系専攻
旧所属 大阪府立大学 大学院工学研究科 電気・情報系専攻 について
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職名:
大学院生(博士課程)
研究分野 (2件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (8件):
発光ダイオード
, 半導体レーザ
, デバイス
, 炭化ケイ素
, LED
, Semiconductor Laser
, Device
, Silicon Carbide
競争的資金等の研究課題 (2件):
1985 - 2006 炭化ケイ素デバイス
1985 - 2006 Silicon Carbide Devices
MISC (15件):
Lowering the Temperature of Ni/SiC for Ohmic Contacts under N2 gas, and Application to a UV Sensor. Materials Science Forum. 2000. vol. 338-342, pp989-992
Fabrication Procedures and Characteristics of 6H-SiC Au-gate Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor for Use at High Temperature. Jpn. J. Appl. Phys. 1998. vol. 37, p. 1817
Fabrication Procedures and Characteristics of 6H-SiC Au-gate Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor for Use at High Temperature. Jpn. J. Appl. Phys. 1998. vol. 37, p. 1817
Dependence of SiC Blue Light-Emitting Diode Efficiency on the p-Type Layer Growth Temperature. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. vol. 34, p. 1833
Dependence of SiC Blue Light-Emitting Diode Efficiency on the p-Type Layer Growth Temperature. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. vol. 34, p. 1833
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書籍 (3件):
Lowering the Temperature of Ni/SiC for Ohmic Contacts under N2 gas, and Application to a UV Sensor
Materials Science Forum 2000
Growth and Characterization of 6H-SiC Bulk Crystals by the Sublimation Method
Amorphous and Crystaline Silicon Carbide IV 1992
Growth and Characterization of 6H-SiC Bulk Crystals by the Sublimation Method
Amorphous and Crystaline Silicon Carbide IV 1992
学位 (1件):
工学修士 (大阪府立大学)
所属学会 (2件):
応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics.
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