超低誘電率,秩序化孔構造,疎水性表面を持つスピン-オンメソ多孔質シリカ膜

YANG -CM; CHO A-T; PAN F-M; TSAI T-G; CHAO K-J

文献

J-GLOBAL ID：200902116266646607 整理番号：01A0807861

超低誘電率,秩序化孔構造,疎水性表面を持つスピン-オンメソ多孔質シリカ膜

Spin-on Mesoporous Silica Films with Ultralow Dielectric Constants, Ordered Pore Structures, and Hydrophobic Surfaces.

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資料名：
巻： 13 号： 14 ページ： 1099-1102 発行年： 2001年07月18日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

ゾル-ゲル前駆体溶液のスピンコーティングによって,平滑な標記...

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酸化物薄膜 , 絶縁材料

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