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J-GLOBAL ID：200902116426847647   整理番号：02A0106728

A High-Power GaN-Based Field-Effect Transistor for Large-Current Operation.

著者 (2件)： YOSHIDA S (Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  ISHII H (Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 1  ページ： 243-246  発行年： 2001年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaN