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J-GLOBAL ID：200902116716320715   整理番号：97A0380074

4H-SiC PN接合整流素子における降伏電圧の正の温度係数

Positive Temperature Coefficient of Breakdown Voltage in 4H-SiC PN Junction Rectifiers.
著者 (2件)：
NEUDECK P G

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(NASA Lewis Res. Center, OH, USA)

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, 
FAZI C

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(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)

U.S. Army Res. Lab., MD, USA について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 18  号： 3  ページ： 96-98  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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転位とマイクロパイプを回避するのに十分な小面積の接合をもつダ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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整流

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降伏電圧

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温度係数

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